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 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループと半導体理工学研究センター(STARC)の共同グループは、CMOSトランジスタの製造バラつきに起因するSRAMの不良セルを、チップ製造後のテスト工程においてピンポイントで修復する手法を開発した。0.5V以下といった低電圧で動作する論理LSIの実現につながる成果である。

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