PR

 伊仏合弁STMicroelectronics社は、2012年6月11日(現地時間)に、同社が開発したFD-SOI(完全空乏層SOI)技術を使った半導体製品を米GLOBALFOUNDRIES, Inc.でも製造することで両社間で合意した、と発表した(ニュース・リリース)。GLOBALFOUNDRIESでは、28nmと20nmノードでFD-SOIデバイスを製造することになる。

 STMicroは、現在、フランスのCrollesにある同社の工場において、28nmのFD-SOIの製造能力を持つ。今回、GLOBALFOUNDRIESと手を組むことで、供給能力を向上させる。2012年7月には、28nm FD-SOIデバイスのプロトタイプの提供を開始する予定だ。20nm世代でもFD-SOI技術の開発を進めており、2013年第3四半期にはプロトタイプの提供を始める考えである。

 また、STMicroのFD-SOI技術は、スイスST-Ericsson NVのモバイル機器向けチップ・セット「NovaThorプラットフォーム」の次世代製品に採用されることが決まっている。現在の製品に比べて最大性能時に35%の消費電力の低減が実現するという。

 さらに、STMicroはFD-SOI技術のオープン・アクセス化を計画している。すなわちSTMicroやST-Ericsson以外のGLOBALFOUNDRIESの顧客がFD-SOIの技術を利用できるようにする。オープン・アクセス化は28nmと20nmの双方で実施する予定である。