ルネサス エレクトロニクスは、アイソレータを内蔵した絶縁型IGBTゲート・ドライバ「R2A25110KSP」を開発し、2013年4月末にサンプル出荷を始めると発表した。アイソレータは、コアレスのトランスを使った素子で、同社は「マイクロアイソレータ」と呼ぶ。絶縁耐圧は2500VRMSを確保した。電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）などのインバータに向ける。アイソレータとIGBTゲート・ドライバを1パッケージに収めたことで、インバータ制御基板の小型化が図れるとしている。
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