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 東芝は、内蔵ダイオード(ボディ・ダイオード)のリカバリ特性を向上させたsuper junction構造のMOSFET「DTMOS」を開発し、2013年5月14~16日にドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワーエレクトロニクス分野のイベント「PCIM 2013」に出展した。耐圧は600Vで、同社従来品に比べて、内蔵ダイオードの逆回復時間(trr)を短くしている。

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