米Cree社は、耐圧1700VのSiC MOSFET製品を開発し、2013年5月14～16日にドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワーエレクトロニクス分野のイベント「PCIM 2013」に出展した。同社のSiC MOSFETの現行製品は耐圧1200V品のみで、1700V品の製品化に踏み切るのは今回が初めてとする。「近々、量産時期を公表する予定」（説明員）である。
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