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 産業ガスなどを供給するエア・ウォーター(大阪市中央区)は、パワー半導体やLED製造向けの下地基板として、SiC on Si基板を最大8インチまで生産する技術を開発し、量産体制を整えた。自社開発のVCE(vacuum chemical epitaxy)装置を使って、Si基板の表面に3C-SiC単結晶薄膜をエピタキシャル成長させたもの。この下地基板にGaNを成膜すれば、高品質なGaN基板が比較的容易に得られるという。

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