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 韓国Samsung Electronics社は、45nmのフラッシュ・メモリ混載ロジック・プロセスを開発した(英語ニュース・リリース韓国語ニュース・リリース)。45nmのフラッシュ・メモリ混載ロジック・プロセスの開発は、「業界初」(同社)だという。

 同社によれば、この45nmプロセスで製造したフラッシュ・メモリ・セルは100万サイクルの耐久性を持っている。なお現在、市場に出回っている製品では50万サイクルが一般的だという。また、現行の80nmのフラッシュ・メモリ混載ロジック・プロセスと比較して、メモリ・セル読み出しは50%高速化され、25%省電力化が図られているとする。

 この45nmプロセスを、スマートカードICのほかNFC、eSE(embedded Secure Element)やTPM(Trusted Platform Module)といった応用分野のICに適用する考えである。なお、今回、Samsungは、同プロセスを使って、スマート・カード向けICのテスト・チップを製造している。同プロセスを使った最初のスマート・カード向けICのサンプル出荷は2014年下期を予定している。