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UMCのIki Huang氏
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UMCの技術ロードマップ
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28nmプロセスは3種類
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28nm世代トランジスタの断面
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28nmプロセスの欠陥密度の推移
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14nm世代はFinFETを導入
14nm世代はFinFETを導入
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2.5D/3D LSIにも注力
2.5D/3D LSIにも注力
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 台湾UMC(United Microelectronics Corp.)が2013年5月24日に東京都内で開催した「UMC 2013 Japan Technology Workshop」では、同社のプロセス開発担当者が、論理LSI向けの先端プロセス技術への取り組みを語った。登壇者は同社Department Manager, Corporate Marketing Division, Technical Marketing 2 Dept.のIki Huang氏、講演タイトルは「UMC Leading-edge Technology」である。

 UMCは現在、40nm世代以降の先端プロセスの生産能力を拡大しており、2013年第2四半期には全社売上高に占める40nm世代以降のプロセス技術の比率が20%を超える見通しという。45/40nmプロセスの顧客は30社以上存在し、同プロセスのウエハー累計出荷枚数は30万枚を超えた。目下、立ち上げに力を入れているのがこれに続く28nmプロセスであり、既に10社以上の顧客を獲得したという。28nmプロセスでは、SiONゲート絶縁膜/多結晶Siゲートを用いる「28LP」および「28HLP」という2種類の低電力版プロセスに加え、ゲートラスト方式の高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲート(HKMG)を用いる高速版プロセス「28HPM」を提供する。

 同社は2011年第4四半期から28LPプロセスのパイロット生産を開始したものの、これまでの生産量はわずかで全社売上高への貢献も小さい。これは同プロセスを提供する予定だった顧客企業の計画変更によるところが大きいといい、28HLPプロセスを含む28nmプロセスの現状については「(製造歩留まりに問題があるとする)噂は正しくなく、プロセス立ち上げ後に製造歩留まりは業界トレンドを上回る速いペースで改善している」(Huang氏)とした。同社は2012年第4四半期に28LPプロセスの量産を開始しており、2013年下期には28HPMプロセスの量産を開始する。

 28nmプロセスに続く技術ノードとして、同社は目下「14nmプロセスの開発に大きなリソースを割いている」(Huang氏)。20nmプロセスの提供も予定しているが、同プロセスは顧客からの個別の要望に応じて提供するという形を想定しており、次世代のメインの技術ノードは14nmプロセスとする考え。2014年第3四半期にパイロット生産を開始する計画だ。

 同社の14nmプロセスは、HKMGを用いるFinFETに20nm世代の配線プロセス(BEOL)を組み合わせた構造を採り、米IBM社からライセンスした技術をベースに開発する。28HPMプロセスに比べると、トランジスタの動作速度を57%向上または消費電力を40~50%低減できるという。

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