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 富士通研究所は、窒化ガリウム(GaN)を使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて、ミリ波帯まで適用可能な、10W出力の送受信モジュール技術を開発した。発熱を効率よく逃がすヒートシンクを多層セラミックス基板の送受信モジュール内に設けるなどの工夫で、単一のパッケージで高出力な送受信機能を実現したとする。

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