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 SOI(silicon on inusulator)基板を用いた半導体製造技術の業界団体であるSOI Industry Consortiumは2013年6月15日、完全空乏型SOI(FDSOI)技術に関するワークショップ「FD-SOI Workshop in Japan」を京都市で開催した。同コンソーシアムの中心メンバーで、28nm世代のFDSOIトランジスタ技術の実用化を2012年に明言した伊仏STMicroelectronics(ST)社が2件の発表を行い、設計環境の整備や量産計画について説明した。さらに、米GLOBALFOUNDRIES社や信越半導体、米Verisilicon社、フランスCEA-Leti、米IBM社が登壇し、FDSOI技術への見解や取り組みを語った。今回のワークショップは「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2013年6月11~14日、京都市)の閉幕翌日に開催され、参加者は90人を超えた。

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