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実装面積が2mm×2mmの小型パッケージに封止したpチャネル型パワーMOSFET
実装面積が2mm×2mmの小型パッケージに封止したpチャネル型パワーMOSFET
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 米Vishay Intertechnology社は、実装面積が2mm×2mmと小さい「PowerPAK SC-70」パッケージに封止したpチャネル型パワーMOSFETを発売した(ニュースリリース)。同社の最新プロセス技術「TrenchFET Gen III」で製造した。-12V耐圧品「SiA467EDJ」と、-20V耐圧品「SiA437DJ」、-30V耐圧品「SiA449DJ/SiA483DJ」の4製品を投入した。いずれも、「業界最小のオン抵抗を実現した」(同社)ことが特徴である。POL(point of load)コンバータや同期整流方式採用の降圧型DC-DCコンバータなどに向ける。

 SiA467EDJは、ゲート・ソース間電圧が±8V(最大値)。連続ドレイン電流は-31A(最大値)。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が-4.5Vのときに13mΩ(最大値)、-2.5Vのときに19.5mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は72nC(最大値)。入力容量は2520pF(標準値)。出力容量は570pF(標準値)。ゲート抵抗は9Ω(標準値)である。

 SiA437DJは、ゲート・ソース間電圧が±8V(最大値)。連続ドレイン電流は-29.7A(最大値)。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が-4.5Vのときに14.5mΩ(最大値)、-2.5Vのときに33mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は28nC(最大値)。入力容量は2340pF(標準値)。出力容量は305pF(標準値)。ゲート抵抗は8Ω(標準値)である。

 SiA449DJは、ゲート・ソース間電圧が±12V(最大値)。連続ドレイン電流は-12A(最大値)。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が-10Vのときに20mΩ(最大値)、-2.5Vのときに38mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は23.1nC(最大値)。入力容量は2140pF(標準値)。出力容量は168pF(標準値)。ゲート抵抗は3.3Ω(標準値)である。

 SiA483DJは、ゲート・ソース間電圧が±20V(最大値)。連続ドレイン電流は-12A(最大値)。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が-10Vのときに21mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は21nC(最大値)。入力容量は1550pF(標準値)。出力容量は175pF(標準値)。ゲート抵抗は3.7Ω(標準値)である。

 いずれも価格は明らかにしていない。