PR
内蔵ダイオードの漏れ電流を1μA程度に抑えた30V耐圧のパワーMOSFET
内蔵ダイオードの漏れ電流を1μA程度に抑えた30V耐圧のパワーMOSFET
[画像のクリックで拡大表示]

 オランダNXP Semiconductors社は、内蔵したショットキ・バリア・ダイオードの漏れ電流を1μA程度に抑えた30V耐圧のパワーMOSFET「NextPowerS3」を発売した(ニュースリリース)。nチャネル品である。「TrenchMOS Superjunction」技術で製造した。

 現在、DC-DCコンバータやスイッチング電源などに向けたパワーMOSFETでは、スイッチング損失を低減するために、スイッチング動作の高速化が進んでいる。ただし、高速化するとスイッチング・ノードにスパイク状の電圧が発生し、EMI(放射電磁雑音)が増大したり、信頼性が低下したりする問題を引き起こす。従来は、この問題を解決するためにショットキ・バリア・ダイオードなどを内蔵していたが、漏れ電流が大きかった。特に高温になると漏れ電流が急激に増大し、変換効率の低下を招いていた。そこで今回は、同社独自技術「SchottkyPlus」を適用することで、内蔵するショットキ・バリア・ダイオードの漏れ電流を大幅に抑えることに成功した。従来は数mAだったが、今回の製品は1μA程度である。

 オン抵抗やゲート電荷量などの違いによって3製品を用意した。「PSMN4R0-30YLD」のオン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が+10Vのときに4mΩ(+25℃における最大値)と小さい。全ゲート電荷量は9.1nC(標準値)。連続ドレイン電流は95A(最大値)である。「PSMN6R0-30YLD」のオン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が+10Vのときに6mΩ(+25℃における最大値)と小さい。全ゲート電荷量は6.5nC(標準値)。連続ドレイン電流は66A(最大値)。ゲート抵抗は2.36Ω(標準値)である。「PSMN6R1-30YLD」のオン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が+10Vのときに6mΩ(+25℃における最大値)と小さい。全ゲート電荷量は6.4nC(標準値)。連続ドレイン電流は95A(最大値)。ゲート抵抗は0.44Ω(標準値)と低い。

 パッケージは3製品いずれもLFPAK56。動作接合部温度範囲は-55~+175℃。価格は明らかにしていない。