ルネサス エレクトロニクスは、耐圧200V以下の低耐圧用途に向けたGaNパワー・トランジスタを試作し、半導体デバイス/材料技術の国際会議「2013 International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM）」（2013年9月24～27日、福岡市で開催）で発表した（図1）。試作したのは、耐圧30～160Vの素子である。最大の特徴は、従来のGaNパワー・トランジスタに比べて製造コストを抑制しやすいことである。コストを削減できる一因は、Si基板にGaN層をエピタキシャル（エピ）成長させた単層のエピ基板を利用できることにある。従来のGaNパワー素子では、AlGaN層とGaN層を接合させる「HEMT構造」を設けるために、AlGaN層などをエピタキシャル成長させた多層のエピ基板を利用していた。エピ成長させる層数が少ない分、エピ基板のコストが安くて済むという。
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