「Hybrid Memory Cube（HMC）」
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米Micron Technology社は2013年9月25日（米国時間）、TSV（Si貫通ビア）ベースの3次元DRAM「Hybrid Memory Cube（HMC）」のサンプル出荷を開始したと発表した（リリース）。サンプル品のDRAM容量は2Gバイト。
Micron Technology社はこれまで「第1世代品」と呼ばれるHMCの試作品を見せていたが、今回出荷したのは「第2世代品」と呼ばれる商用のサンプル品（engineering sample：ES）になる。HMCのES出荷は今回が初めて。
今回サンプル出荷したHMCは、専用のコントローラ・ロジックの上に4GビットDRAMを4枚積層し、TSVとマイクロバンプで各チップを3次元的に接続した構造を採る。プロセサ－HMC間のバンド幅は160 Gバイト/秒と広く、ビット当たりの消費エネルギーはDDR3 SDRAMモジュールに比べて70％削減できるという。
4GビットDRAMを8枚積層した4Gバイト品のESは2014年初旬に出荷する。今回の2Gバイト品、および4Gバイト品の量産は2014年後半に開始する予定。
HMCはネットワーク機器やスーパーコンピュータなどのハイエンド機器向けのDRAMだが、今後は民生機器への展開も視野に入れる。民生機器への展開には5年以上の時間がかかると予想されるものの、HMCの構造やスペックを変えながら低コスト化を図るとみられる（関連記事）。
