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飽和電圧が200mVと低い40V耐圧のバイポーラ・パワー・トランジスタ
飽和電圧が200mVと低い40V耐圧のバイポーラ・パワー・トランジスタ
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 伊仏合弁STMicroelectronics社は、コレクタ・エミッタ間の飽和電圧が-200mV(コレクタ電流が-1A、ベース電流が-10mAのときの最大値)と低い-40V耐圧のバイポーラ・パワー・トランジスタ「3STL2540」を発売した(ニュースリリース)。pnp構造のトランジスタである。等価オン抵抗は90mΩと小さい。このため、同社は「パワーMOSFETと同等のエネルギー効率を保ちながら、低コスト化を実現できる」としている。DC-DCコンバータやパワー・マネジメント用スイッチなどに向ける。

 最大コレクタ電流は-5A。最大ベース電流は-0.5Aである。電流利得(hFE)は、0.2~10Vの出力電圧範囲と、-30~+150℃の動作温度範囲において100以上を確保した。このため、「同様の製品の中では、導電損失を最も低く抑えられる」(同社)という。ベース・エミッタ間の飽和電圧は800mV(コレクタ電流が-1A、ベース電流が-10mAのときの標準値)。遮断周波数は130MHz(標準値)である。パッケージは、外形寸法が2mm×2mm×0.6mmと小さい3端子PowerFLAT。1000個購入時の米国での参考単価は0.30米ドル。すでに量産を始めている。