PR
19nm第2世代プロセスで作るNANDフラッシュ・メモリ 東芝のデータ。
19nm第2世代プロセスで作るNANDフラッシュ・メモリ 東芝のデータ。
[画像のクリックで拡大表示]
主な仕様 東芝のデータ。
主な仕様 東芝のデータ。
[画像のクリックで拡大表示]

 東芝は、19nm第2世代プロセスで作るNANDフラッシュ・メモリを発売した(ニュース・リリース)。フラッシュ・メモリのダイとコントローラのダイを1パッケージに収めた、制御機能付きの組み込み式NAND型フラッシュ・メモリである。

 新製品は、2013年9月に開催されたJEDECで正式に策定された「e・MMCTM Version 5.0」に準拠する。最先端プロセスで作るフラッシュ・メモリのダイを使用することで、19nm第1世代プロセスを用いた従来製品に比べてパッケージ・サイズが22%小型化した。また、高速インターフェース規格「HS400」の適用や、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来製品に比べて読み出し速度を64%向上させ、書き込み速度は32Gバイト品で38%、16Gバイト品で25%高速化した。

 まず、32Gバイト品と16Gバイト品を市場投入する。どちらも大きさが11.5mm×13mmで153ボールのFBGAパッケージに封止している(ただし、パッケージの高さは異なり、32Gバイト品は1mm、16Gバイト品は0.8mm)。両製品ともに量産は2013年11月下旬に始める。今後、4G、8G、64G、128Gバイト品の量産も順次開始する予定である。