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 韓国SK Hynix社は、64Gビットの2ビット/セル(MLC:multi level cell)方式NANDフラッシュ・メモリの16nmプロセスによる本格量産を始めた(発表資料)。同社は2013年6月に16nmプロセスによるNANDフラッシュ・メモリの量産を他社に先駆けて開始し、最近では、当初量産していた品種よりチップ・サイズが小さく、コスト競争力の高い品種の量産を始めた。ワード線間の干渉を抑えるため、エアギャップ技術を適用している(Tech-On!関連記事)。

 また、同社は128Gビット(16Gバイト)のMLCチップを開発し、2014年初めに量産を開始する計画だ。今後は、3ビット/セル(TLC:triple level cell)技術や3次元実装技術の開発に力を入れ、競争力を高めていく方針という。