米Vishay Intertechnology社は、実装面積が3.0mm×1.9mmと小さい「PowerPAK ChipFET」パッケージに封止したpチャネル型のパワーMOSFET「Si5411EDU」を発売した。同社独自技術「TrenchFET」で製造した第3世代品である。耐圧は−12V。特徴は、小型パッケージに封止したものの、オン抵抗が低いことである。ゲート・ソース間電圧が－4.5Vのときのオン抵抗は8.2mΩ、－2.5Vのときは11.7mΩ、－1.8Vのときは20.6mΩである。スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコン、工業用センサー、POLコンバータ・モジュールなどに搭載するパワー・マネジメント・スイッチや負荷スイッチ、バッテリ・スイッチに向ける。
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