米Vishay Intertechnology社は、実装面積が3.0mm×1.9mmと小さい「PowerPAK ChipFET」パッケージに封止したpチャネル型のパワーMOSFET「Si5411EDU」を発売した。同社独自技術「TrenchFET」で製造した第3世代品である。耐圧は−12V。特徴は、小型パッケージに封止したものの、オン抵抗が低いことである。ゲート・ソース間電圧が-4.5Vのときのオン抵抗は8.2mΩ、-2.5Vのときは11.7mΩ、-1.8Vのときは20.6mΩである。スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコン、工業用センサー、POLコンバータ・モジュールなどに搭載するパワー・マネジメント・スイッチや負荷スイッチ、バッテリ・スイッチに向ける。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステックからのお薦め
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。