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実装面積が3.0mm×1.9mmでオン抵抗が8.2mΩと小さいpチャネルMOSFET
実装面積が3.0mm×1.9mmでオン抵抗が8.2mΩと小さいpチャネルMOSFET
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 米Vishay Intertechnology社は、実装面積が3.0mm×1.9mmと小さい「PowerPAK ChipFET」パッケージに封止したpチャネル型のパワーMOSFET「Si5411EDU」を発売した(ニュースリリース)。同社独自技術「TrenchFET」で製造した第3世代品である。耐圧は-12V。特徴は、小型パッケージに封止したものの、オン抵抗が低いことである。ゲート・ソース間電圧が-4.5Vのときのオン抵抗は8.2mΩ、-2.5Vのときは11.7mΩ、-1.8Vのときは20.6mΩである。スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコン、工業用センサー、POLコンバータ・モジュールなどに搭載するパワー・マネジメント・スイッチや負荷スイッチ、バッテリ・スイッチに向ける。

 連続ドレイン電流は-25A、パルス時は-140Aである。ゲート・ソース間電圧は±8V。全ゲート電荷量は43nC(標準値)。入力容量は4100pF(標準値)、出力容量は860pF(標準値)、帰還容量は970pF(標準値)。ゲート抵抗は3.6Ω(標準値)。実装高さは0.75mmである。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。

 このほか、実装面積が3.0mm×1.9mmの「PowerPAK ChipFET」パッケージに封止した-20V耐圧品「Si5415AEDU」と、実装面積が3.3mm×3.3mmの「PowerPAK 1212-8s」に封止した-20V耐圧品「SiSS23DN」も併せて発売した。Si5415AEDUのオン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が-4.5Vのときに9.6mΩ、-2.5Vのときに13.2mΩ、-1.8Vのときに22.0mΩ。SiSS23DNは、ゲート・ソース間電圧が-4.5Vのときに4.5mΩ、-2.5Vのときに6.3mΩ、-1.8Vのときに11.5mΩである。全ゲート電荷量は、Si5415AEDUが43nC(標準値)、SiSS23DNが93nC(標準値)。2製品ともすでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。