米Vishay Intertechnology社は、実装面積が3.0mm×1.9mmと小さい「PowerPAK ChipFET」パッケージに封止したpチャネル型のパワーMOSFET「Si5411EDU」を発売した（ニュースリリース）。同社独自技術「TrenchFET」で製造した第3世代品である。耐圧は－12V。特徴は、小型パッケージに封止したものの、オン抵抗が低いことである。ゲート・ソース間電圧が－4.5Vのときのオン抵抗は8.2mΩ、－2.5Vのときは11.7mΩ、－1.8Vのときは20.6mΩである。スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコン、工業用センサー、POLコンバータ・モジュールなどに搭載するパワー・マネジメント・スイッチや負荷スイッチ、バッテリ・スイッチに向ける。
連続ドレイン電流は－25A、パルス時は－140Aである。ゲート・ソース間電圧は±8V。全ゲート電荷量は43nC（標準値）。入力容量は4100pF（標準値）、出力容量は860pF（標準値）、帰還容量は970pF（標準値）。ゲート抵抗は3.6Ω（標準値）。実装高さは0.75mmである。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。
このほか、実装面積が3.0mm×1.9mmの「PowerPAK ChipFET」パッケージに封止した－20V耐圧品「Si5415AEDU」と、実装面積が3.3mm×3.3mmの「PowerPAK 1212-8s」に封止した－20V耐圧品「SiSS23DN」も併せて発売した。Si5415AEDUのオン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が－4.5Vのときに9.6mΩ、－2.5Vのときに13.2mΩ、－1.8Vのときに22.0mΩ。SiSS23DNは、ゲート・ソース間電圧が－4.5Vのときに4.5mΩ、－2.5Vのときに6.3mΩ、－1.8Vのときに11.5mΩである。全ゲート電荷量は、Si5415AEDUが43nC（標準値）、SiSS23DNが93nC（標準値）。2製品ともすでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。
