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824M〜1.98GHzと広い帯域に対応のRFパワー・アンプIC
824M〜1.98GHzと広い帯域に対応のRFパワー・アンプIC
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 三菱電機は、824M~1.98GHzと広い周波数帯域に対応したRFパワー・アンプIC「BA012M1」を開発し、2013年11月30日に発売する(ニュースリリース)。広い周波数帯域に対応できるため、日本やアジア、欧州、北米などで使われている4つの主要な周波数帯を1つのパワー・アンプICでまかなえる。具体的には、2GHz帯のBand1、1.9GHz帯のBand2、800MHz帯のBand5、900MHz帯のBand8である。通信方式としては、WCDMAとLTEなどに対応可能だ。スマートフォンやタブレット端末などに向ける。

 GaAs材料を用いたBiFET(bipolar field effect transistor)技術で製造した。動作周波数は824M~915MHzと、1.850G~1.980GHzである。高出力電力モードと低出力電力モードを用意した。高出力電力モードでの出力電力は28.5dBm、利得は28.5dB。低出力電力モードでの出力電力は17dBmで、利得は20dBである。電力付加効率は48%が得られる。同社によると「業界最高レベル」という。基準電圧源を内蔵した。このため外付け部品を使わずに、外部からのデジタル信号入力でパワー・アンプ回路のオン/オフを制御できる。方向性結合器も搭載した。出力電力の監視を容易に実現できる。外形寸法が3.0mm×4.2mm×1.0mmと小さいリードレス・パッケージに封止した。サンプル価格は500円(税別)である。

 発売したICは、2013年11月27~29日に神奈川県横浜市のパシフィコ横浜で開催される「MWE2013」の「マイクロウェーブ展2013」で展示する予定である。