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 ザインエレクトロニクスは、先端半導体プロセスでなくても高速なインタフェースを実現できる要素技術を開発した(ニュース・リリース)。例えば、130nmのプロセスで10Gビット/秒の速度を得られるとする。

 同社が独自に開発したプリエンファシスとイコライザの技術に加えて、内部回路の高速化で実現した。さらに、HBM 8kV 以上のESD耐性の確保やEMI雑音の原因となる不要輻射の抑制にも成功したという。

 すなわち、従来の技術では、高速化と雑音耐性を両立させることが難しかったのに対して、開発した新技術では、バランスよく市場のニーズに応えられる回路を実現できるとする。なお、微細なプロセスを使えば、さらなる高速化が図れるともいう。この技術を搭載した第1弾の製品は、2014年第3四半期にサンプル出荷する計画である。