今回の製品 Samsungのデータ。
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韓国Samsung Electronics社は、8GビットのLPDDR4型モバイルDRAMを開発した（ニュース・リリース）。同社の20nmクラス・プロセスで製造する。2014年中に量産を始める。
開発したチップを4枚積層することで、１パッケージで4GバイトのLPDDR4型DRAMとなる。UHDのスマートフォンやタブレット端末、超薄型のノートPC、および高性能ネットワーク・システムに向ける。
今回のチップはLow Voltage Swing Terminated Logic（LVSTL）と呼ぶI/Oインタフェースを備え、1ピン当たりの転送速度は3.2Gビット/秒である。この転送速度は20nmクラス・プロセスで製造するLPDDR3型DRAMの2倍だという。1.1Vで動作し、消費電力は前世代のLPDDR3型DRAMと比較しておよそ40%削減されているとする。
