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FOMを67%向上させた中耐圧パワーMOSFET
FOMを67%向上させた中耐圧パワーMOSFET
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 米Fairchild Semiconductor社は、中耐圧パワーMOSFETの品ぞろえを拡充した(ニュースリリース)。発売したのは、150V耐圧のpチャネル品である「FDMC86261P」と、100V耐圧のpチャネル品である「FDMC86139P」の2つ。両製品の特徴は、オン抵抗とゲート電荷量の積であるFOM(figure of merit)が高いことである。競合他社品と比べると約67%上回るという。このため、これらのパワーMOSFETを電源回路に適用すれば、導通損失を約46%、スイッチング損失を約38%削減できる。アクティブクランプ回路用スイッチや、負荷スイッチなどに向ける。

 150V耐圧品であるFDMC86261Pの最大ドレイン電流は連続時に-9A、パルス時に-20Aである。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が-10Vのときに160mΩ(最大値)、-6Vのときに185mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は24nC(最大値)。入力容量は1360pF(最大値)。出力容量は120pF(標準値)。帰還容量は10pF(最大値)。ゲート抵抗は3.4Ω(最大値)である。

 100V耐圧品であるFDMC86139Pの最大ドレイン電流は連続時に-15A、パルス時に-30Aである。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が-10Vのときに67mΩ(最大値)、-6Vのときに89mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は22nC(最大値)。入力容量は1335pF(最大値)。出力容量は240pF(標準値)。帰還容量は15pF(最大値)。ゲート抵抗は3.2Ω(最大値)である。

 2製品ともパッケージは、実装面積が3mm×3mmと小さいMLP。競合他社品は実装面積が5mm×6mmのパッケージを採用しているため、発売した製品を使えばプリント基板上の実装面積を削減できるとしている。動作接合部温度範囲は-55~+150℃。1000個購入時の米国での参考単価は、FDMC86261Pが0.80米ドル、FDMC86139Pが0.68米ドルである。