米Fairchild Semiconductor社は、中耐圧パワーMOSFETの品ぞろえを拡充した。発売したのは、150V耐圧のpチャネル品である「FDMC86261P」と、100V耐圧のpチャネル品である「FDMC86139P」の2つ。両製品の特徴は、オン抵抗とゲート電荷量の積であるFOM(figure of merit)が高いことである。競合他社品と比べると約67%上回るという。このため、これらのパワーMOSFETを電源回路に適用すれば、導通損失を約46%、スイッチング損失を約38%削減できる。アクティブクランプ回路用スイッチや、負荷スイッチなどに向ける。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステックからのお薦め
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。