PR

 台湾Holtek Semiconductor社は、パワーバンク(モバイルバッテリー)向けのMCU「HT45F4MA/HT45FH4MA/HT45FH4MA-1」を2014年2月10日(現地時間)に発表した(ニュース・リリース)。同社従来品に比べて、外付けのPMOS/NMOSトランジスターの駆動電流を増やした。

新製品の機能ブロック図
Holtekのデータ。
[画像のクリックで拡大表示]

 今回のMCUには4Kバイトのフラッシュメモリーと128バイトのSRAM、64バイトのデータEEPROMを集積した。30MHzと32kHzの発振器を内蔵し、1/4分周が可能である。8チャネル入力の12ビットA-D変換器や、10ビット周期タイマーを集積する。後者は、昇圧型/降圧型DC-DCコンバータ用の相補型PWM出力の生成を狙ったものだ。これとは別に、16ビットタイマーも集積している。

 過電圧保護機能、過電流保護機能、さらにシステム電圧モニタリング向けに低電圧検出機能や低電圧リセット機能を持つ。予め定めた電圧を下回ると、リセットがかかり、不安定動作が発生するのを防ぐ。

 新製品の動作電圧範囲は2.55V~5.50V。HT45FH4MAとHT45FH4MA-1は5V LDO出力を搭載している。相補型PWM出力とレベルシフターとを組み合わせることで、外部のPMOS/NMOSトランジスタのゲートを直接駆動することが可能になる。HT45F4MAは16ピンNSOPまたは20ピンのSSOP、HT45FH4MAとHT45FH4MA-1は20ピンSSOPに封止している。