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NANDフラッシュメモリー事業の戦略を語る田中氏
NANDフラッシュメモリー事業の戦略を語る田中氏
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 東芝 代表執行役社長の田中久雄氏は2014年5月22日に開催した経営方針説明会において、全社の稼ぎ頭であるNANDフラッシュメモリーの事業戦略を語った(関連記事1同 2同3)。

 東芝の2013年度決算は、前年比47%増の大幅な営業増益となった(関連記事4)。それを支えたのがNANDフラッシュメモリー事業である。電子デバイス部門の営業利益は過去最高の2385億円となり、その大半をNANDフラッシュメモリーで稼いだ。今や同事業は東芝の生命線だ。田中氏は、現行の平面(2次元)構造のNANDフラッシュメモリーの微細化、および微細化限界後の3次元NANDフラッシュメモリーのいずれにおいても高い競争力を維持していく考えを示した。

 2次元NANDの微細化については、NANDフラッシュメモリー事業における「最大のポイント」(田中氏)と位置付ける。ここでは2014年4月、業界最先端となる15nmプロセス品の初期量産を開始した(関連記事5)。本格量産は2015年になるという。これよりも一世代前に当たる19nmプロセス品については、2014年3月時点での生産比率を50%超にまで高めた。2014年度は19nmプロセス品の生産比率をさらに高め、収益性を一層改善するとした。

 加えて、「今後の主力技術となる3次元のNANDについても、大容量化(に向けた開発)を積極的に進めていく」(田中氏)。同社はかねて「BiCS」と呼ぶ低コスト化に向く3次元NANDの開発を進めており、2014年度中にサンプル出荷を開始する。量産開始は2015年度後半を計画している。

 田中氏によれば、浮遊ゲート型セルを使う2次元NANDと(チャージトラップ型セルを使う)3次元NANDでは、メモリーとしての特性が異なるという。このため、「(3次元NANDが)市場に浸透するのに多少時間を要する。(2次元NANDと3次元NANDの)製品ミックスを柔軟かつタイムリーにマネージしていく」(同氏)考えである。