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今回の新製品 Samsungの写真。
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 韓国Samsung Electronics社は、TSV(through silicon via)利用の3次元積層DDR4型シンクロナスDRAMを搭載するメモリーモジュール(RDIMM:registered dual inline memory module)の量産を始めた(英文ニュース・リリース)。TSV利用の3次元積層のDDR4型SDRAMを使ったメモリーモジュールは今回が初めてだという。

 量産を始めたRDIMMの容量は64Gバイトである。エンタープライズサーバーやクラウド向けデータセンターなどに向ける。このRDIMMは、36個のDDR4型SDRAMのチップを搭載する。各チップは4枚の4GビットDDR4型SDRAMダイを積層し(各チップの容量は2Gバイト)、ダイ間はTSVで接続している。各ダイは20nmクラスのプロセスで製造する。

 同社は2010年に、40nmクラスのプロセスで作ったダイを3次元積層しTSVで接続したDRAMチップを使うRDIMMを開発した。RDIMMの容量は8Gバイトだった。2011年には、30nmクラスのプロセスで作ったダイを3次元積層しTSVで接続したDRAMチップを使うRDIMMを開発した。その容量は32Gバイトだった。今回は、ダイの製造プロセスを微細化し、RDIMMの容量を64Gバイトに増やした。また、TSV専用の製造設備を整えて、量産を開始したという。