Siパワー素子に比べて低損失ながら、高価なSiCパワー素子。同素子の製造コストを下げられる材料を東レが開発した。SiCパワー素子の製造工程にあるイオン注入プロセスを簡略化できる、高い耐熱性を備えた感光性レジストである。このレジストを利用することで、従来のSiCパワー素子のイオン注入プロセスを簡素化し、その時間を「40％以上短縮できる」（同社）という。同レジストは一部の顧客に向けてサンプル出荷中。SiCパワー素子も既に製品化されているが、「本格的に量産されるのは2017年ごろ」（東レ）とみており、同社は今回のレジストを2015年度に量産準備を整える考えだ。
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