PR
今回のチップ NTTエレクトロニクスの写真。
今回のチップ NTTエレクトロニクスの写真。
[画像のクリックで拡大表示]

 米Bradcom社とNTTエレクトロニクスが手を組んで、100Gビット/秒のコヒーレントDSP(digital signal processing)ICを開発した(BradcomのニュースリリースNTTエレクトロニクスのニュースリリース1)。20nmプロセスで製造するチップで、「NLD0640」という製品としてNTTエレクトロニクスがサンプル出荷を始めた。

 両社は2013年3月に今回のICの開発で提携したことを発表している(NTTエレクトロニクスのニュースリリース2)。今回の発表は、その成果を明らかにしたものである。NTTエレクトロニクスは、2012年2月に40nmプロセスで製造する100Gビット/秒のコヒーレントDSP「NEL100G」を開発して販売を始めた(同ニュースリリース3)。今回、Broadcomのアナログ-デジタル混在IC設計技術を適用して、20nmプロセス版を開発した。

 DSP本体を20nmプロセスに移植し、さらに送信側D-A変換器や波形整形回路、100Gビット/秒Ethernetインターフェース回路などを加えて1チップ化した。40nmプロセスの時には3チップだった回路を、今回1チップ化したことで消費電力や実装面積を70%削減したという。今回のチップによって、データセンター間トラヒックの急伸を支える100Gビット/秒波長多重(WDM)光ファイバ通信システムの普及を強力に後押しできるとする。