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TSMCの研究開発テーマと実現時期 出典:同社ホームページ。
TSMCの研究開発テーマと実現時期 出典:同社ホームページ。
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 英ARM社は、米国カリフォルニア州Santa Claraで開催したプライベートショー「ARM TechCon 2014」の会場において、台湾TSMCと複数年にまたがる協業を行うことを発表した(ARMニュースリリースTSMCニュースリリース)。この協業の一環として、ARMv8-AプロセッサーのIPコアをTSMCの10nm FinFETプロセスに向けて最適化する。

 今回の協業は、両社が20nmプロセスの「20SoC」および16nm FinFETプロセス「16FinFET」で実施した協業をさらに進めたものだという。この協業によって、10nm FinFETプロセスに向けたフィジカルIP(回路ライブラリ)や設計フローが整備される。これを利用することで、早ければ2015年第4四半期には10nm FinFETプロセスに向けたICのテープアウトが可能になるとする。なお、TSMCは10nm FinFETプロセスのリスク量産を2015年中に開始すると発表している。