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非極性面と半極性面
非極性面と半極性面
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HVPE法とアモノサーマル法
HVPE法とアモノサーマル法
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緑色半導体レーザーも可能


 効率向上だけでなく、ピエゾ電界の影響を弱めることで、発光波長の長波長化が比較的容易になる。このため、GaN系半導体を使いながら緑色レーザー光を直接発振できるようになる。実際、中村氏らが設立した米国のベンチャー企業が、緑色半導体レーザーの開発に成功している(関連記事1)。

 この他、例えば住友電気工業も、半極性面を利用したGaN系半導体レーザーを試作済みである(関連記事2)。同社は青紫色半導体レーザーを作るために用いるGaN基板の最大手。そのため、半極性面や非極性面のGaN基板も開発している(関連記事3)。

 現行のGaN基板製品は、HVPE法と呼ばれる気相法で製造する。この方法では、生産効率を高めるのに限界がある。そのためGaN基板は高価である。