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撮影:堀 勝志古
撮影:堀 勝志古
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次は変圧器を不要に

 パワーデバイスへの応用についていえば、究極の目標は(大口径の高品質GaN基板上にGaNデバイスを作製する)GaN on GaN技術を確立することです。この技術をベースに、耐圧30kV、電流容量300Aといった高耐圧・大容量のGaNパワーデバイスを実現したい。これによって、新幹線などに使われる変圧器を不要にできます。変圧器はいわば鉄の塊。なくすことができれば、移動体の軽量化に大きく貢献できるわけです。

 青色LEDの時と同じように、パワーデバイスにも“SiCかGaNか”といった議論があります。しかし、現状ではどちらもまだまだSiにはかないません。コストしかり、信頼性しかりです。

 青色LEDでは、SiにはできないことをGaNでやったみせたから成功した。ですからパワーデバイスについても、Siでは実現できない性能やアプリケーションを新材料で示すことが重要です。

 パワーデバイスでも我々はGaNに注力しており、SiCをやろうとは思いません。SiCは、素晴らしい成果を挙げている研究者が既に沢山いらっしゃいますから。