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新製品と応用先のイメージ Samsungの写真。
新製品と応用先のイメージ Samsungの写真。
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 韓国Samsung Electronics社は、容量が8GビットのLPDDR4型シンクロナスDRAMの量産を開始した(英語版ニュースリリース)。同社は1年ほど前に、同DRAMの開発を発表している(日経テクノロジーオンライン関連記事)。

 新製品は20nmクラス(20nm~30nm)のプロセスで製造する。外部I/Oのデータレートは最大3200Mビット/秒。I/Oの信号レベルは同社独自のLVSTL(Low-Voltage Swing-Terminated Logic)である。

 電源電圧は1.1V。同社によれば、今回の製品を使って2Gバイトのパッケージを構成した場合、従来の4Gビット LPDDR3型SDRAMベースの製品と比較して、40%の省電力化が図れるという。

 同社は今回の8Gビットのダイおよび6Gビットのダイを利用した、容量2Gバイトおよび3GバイトのLPDDR4パッケージを2014年12月中に提供開始予定である。また2015年の早い時期に4Gバイトのパッケージも提供する予定。