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 広島大学HiSIM研究センターと産業技術総合研究所は、2015年1月9日に東京で報道機関向けの説明会を開催し、回路シミュレーション用トランジスタモデルの「HiSIM-SOTB(Hiroshima university STARC IGFET Model Silicon-on-Thin BOX)」が、国際標準に認定されたことを発表した(ニュースリリース)。

図1●HiSIMモデル群 赤字で年月が示されているのが、国際標準化機関CMC(Compact Modeling Council)が標準に認定したモデル。広島大のスライド。
図1●HiSIMモデル群
赤字で年月が示されているのが、国際標準化機関CMC(Compact Modeling Council)が標準に認定したモデル。広島大のスライド。
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 HiSIM-SOTBは、広島大学と半導体理工学研究センター(STARC)が開発したMOSトランジスタの回路シミュレーション用モデル「HiSIM2」の拡張版。HiSIM2およびその拡張版モデルはすでに3つが国際標準になっており、HiSIM-SOTBは4つめの国際標準になる。

 これまでに国際標準の回路シミュレーション用モデルになった3つのHiSIMモデルとは、一般的なMOSFET(バルク基板上のMOSFET)のモデル「HiSIM2」、HiSIMを高耐圧トランジスタ向けに拡張したモデル「HiSIM_HV」、HiSIMをSOI基板上のトランジスタ向けに拡張したモデル「HiSIM_SOI」である(日経テクノロジーオンライン関連記事)。

 そして、HiSIM_SOIを極薄酸化膜のSOI基板上のトランジスタ向けに拡張したモデルが、今回のHiSIM-SOTB(図1)。4つのいずれも、「CMC(Compact Modeling Council)」と呼ばれる、回路シミュレーション用トランジスタモデル(コンパクトモデル)の国際標準化機関が、CMC標準として認定した。