米Analog Devices社は、0.05dBのRF出力までのセトリング時間が7.5μsと短いRFスイッチIC「HMC1118LP3DE」を発売した。対応する最大周波数範囲は9k～13GHz。スイッチの構成は単極双投（SPDT：single pole dual throw）である。Siプロセス技術で製造した。GaAsプロセス技術で製造した同様の製品と比べるといくつかのメリットがあるという。具体的には、セトリング時間が1/100と短いことや、静電気放電（ESD）耐圧がGaAs製品の250Vに対して2000Vと高いことなどである。計測器や自動テスト装置、防衛用電子機器、無線通信機器などに向ける。
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