米Vishay Intertechnology社は、高速なボディダイオードを備える＋600V耐圧のパワーMOSFETを3製品発売した。nチャネル型のパワーMOSFETで、同社の第2世代に当たるスーパージャンクション（SJ）技術で製造した。ボディダイオードの逆回復電荷（Qrr）が、一般的なパワーMOSFETに比べると約1/10と小さいことが特徴だ。このため、良好なスイッチング特性が得られるという。ゼロ電圧スイッチング（ZVS）技術やソフトスイッチング技術を使う位相シフト方式のブリッジ型DC-DCコンバーターやLLC共振ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターなどに向ける。具体的な用途としては、サーバーや通信機器の電源モジュールや、照明器具の駆動回路、太陽光発電向けインバーター装置、溶接機、産業用バッテリー充電器などを挙げている。
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