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 チップ上の微細図形の寸法が露光波長と同程度になった現在,光の近接効果を考慮したマスク・パターンの補正技術(OPC:optical proximity correction)が必須となっている。具体的には,光の回折現象などを考慮して,マスク・パターン上の図形コーナ部などに補正用のパターンを追加する。これはルール・ベースOPCと呼ばれ,あらかじめリソグラフィ・シミュレータや実験データをもとに決定めた補正ルール(形状や補正量)に基づき,レイアウト検証ツール(DRC)の図形演算機能を用いて補正パターンの生成を行なう。

 今後は,微細化が進み補正ルールの複雑化が予想される。このような状況を背景に,ダイナミックにシミュレーションを行ないながら補正パターンを決めるシミュレーション・ベースOPCの実用化も進んでいる。どちらのOPCにしても,より高い精度を確保するためには、光学系やエッチング系のモデリング/パラメータ・フィッティング/解析技術の進展が欠かせない。さらに10Mゲートを超えるの大規模LSIへの適用を考えたとき,高速な図形処理/レイアウト検証ツールとの連携が必須である。


(99. 9. 6更新)

このEDA用語辞典は,日経エレクトロニクス,1996年10月14日号,no.673に掲載した「EDAツール辞典(NEC著)」を改訂・増補したものです。