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 電気的に内容の書き込み・消去ができるメモリの一種で,外部から電源を供給しなくても内容が消えない不揮発性メモリ。一括または、ブロック単位消去を行ってから新たな内容を書き込むことができる。東芝が1987年に提案した。

 NANDフラッシュ・メモリは,プログラム格納用に広く利用されているNORフラッシュ・メモリと異なり,ランダム・アクセスが遅い。逆にバイト消去を犠牲にしてセル面積の小型を優先した構造を採るため,高密度集積が容易で大容量化に適している。NOR型に比べると,書き込み速度が速いという利点もある。