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negative bias temperature instability

 トランジスタのゲート電極に対して基板の電位が負の状態でチップの温度が高まると,p型トランジスタのしきい値電圧の絶対値が次第に大きくなっていく現象。この結果,トランジスタの速度が時間がたつにつれて遅くなる。セイコーエプソンが加速試験を行ったところ,0.18μmルールのマイクロコントローラの最大動作周波数が10年で約10%程度低くなることが分かったという。同社は製品仕様を決める際に,その分のマージンを考慮しているとする。