PR

 トランジスタのゲートの多結晶Siもしくは拡散層上に,金属とSiの反応により選択的に金属のSi化合物を形成する技術。サリサイド技術を用いることにより,ゲート配線の抵抗および拡散層の抵抗を下げることができる。