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 電子ペーパーや液晶パネル,有機ELを駆動するTFTのチャネル層の材料として,酸化亜鉛(ZnO)とともに注目を集めている透明酸化物半導体(TOS:transparent oxide semiconductor)の一種。a-IGZOと表記する場合もある。可視光を透過させ,ほぼ透明である。低温多結晶SiのTFTと同様にキャリア移動度が高い。他に,アモルファスSiのようにTFTの特性バラつきが小さい,素子構造が単純,といった特徴を持つ。課題は,しきい値電圧が経年変化する可能性があること。ただし,その程度はアモルファスSiに比べるとずっと小さい見通しである。

 室温~150℃といった低温プロセスでの製造に適していることも特徴の一つ。そのため,多結晶SiやアモルファスSiの置き替え候補として有力である。具体的には,大面積で高精細の有機ELパネルや電子ペーパーといった用途が想定されている。

表 ZnOとa-IGZOの性能と課題
(日経エレクトロニクス2007年8月27日号より抜粋)
表 ZnOとa-IGZOの性能と課題