PR
replacement gate

 トランジスタの製造方式の一つ。例えば,多結晶Siのダミー・ゲートを作製し,次にトランジスタのソースとドレインを形成する。その後,ダミー・ゲートを除去してその部分にメタル・ゲートを埋め込む手法などがある。

 この方式を採ると,メタル・ゲート材料に耐熱性が求められないため,メタル材料の選択が容易になる。耐熱性が不要になるのは,メタル・ゲートの形成より先に1000℃程度の高温処理が必要なソースとドレインの形成を行うためである。メタル・ゲート用の金属材料は配線工程に必要な300℃程度の耐熱性さえ備えていればよい。

 Intel社はhigh-k ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを用いた,45nm世代のCMOS製造プロセスの実用化のため,リプレースメント・ゲート方式を採用した。