平面（2D）での微細化が進んできたNANDフラッシュメモリー。最近では微細化に限界があるとして、NANDを積層して（上方向に積み上げて）面積当たりの容量を増やす「3D NAND」に移行しようとする動きが活発化していました。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステックからのお薦め
Samsungに2D NAND再注力の兆し、3Dは難しい？
あなたにお薦め
注目のイベント
日経クロステック Special
What's New
エレキ
自動車
製造
- ＢＯＭで中小企業の設計効率を向上させる
- 転造で実現した「安価で緩まないねじ」
- デジタル・ツインによるイノベーションとは
- 製造業ＤＸ成功のカギはデータガバナンス
- 日台間の連携をさらに強化し、双方の産業を次の高みへ
- 「第三者保守サービス」がＤＸの原資を捻出
- リアルとデジタルをつなぐ半導体技術が結集
- アナログ・デバイセズ新社長インタビュー
- コロナ禍でも部品の安定供給を実現する責務
- ３つのメガトレンドを視野にした長期的戦略
- コード格納用メモリーの分野で市場をリード
- 従来の電源ソリューションの限界を取り払う
- 世界基準のユニークな半導体技術を提供
- ものづくり現場のＩＴ活用≫大きな誤解とは
- 展示会で配布の技術資料をWEBから入手！
- 監視カメラ市場が抱える課題を解決