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 Intel社とMicron Technology社が発表した、新型メモリー技術「3D XPoint Technology」の将来性とその登場による波及効果を考えるための視点抽出を目的としているテクノ大喜利。今回の回答者は、IHSテクノロジーの南川 明氏である。半導体メモリーの技術と市場の動きを長年見続けてきたアナリストの視点から、この新しいメモリーの位置付けを考察して頂いた。(記事構成は伊藤元昭)

南川 明(みなみかわ あきら)
IHSテクノロジー 日本調査部ディレクター
南川 明(みなみかわ あきら)
 1982年からモトローラ/HongKong Motorola Marketing specialistに勤務後、1990年ガートナー ジャパン データクエストに移籍、半導体産業分析部のシニアアナリストとして活躍。その後、IDC Japan、WestLB証券会社、クレディーリヨネ証券会社にて、一貫して半導体産業や電子産業の分析に従事してきた。2004年には独立調査会社のデータガレージを設立、2006年に米iSuppli社と合併、2010年のIHSグローバル社との合併に伴って現職。JEITAでは10年以上に渡り,世界の電子機器と半導体中長期展望委員会の中心アナリストとして従事する。定期的に台湾主催の半導体シンポジウムで講演を行うなど、アジアでの調査・コンサルティングを強化してきた。

【質問1】3D XPointに、メモリーメーカーの勢力図を塗り替えるインパクトを感じますか?
【回答】ストレージ・クラス・メモリーとしては、最も有力と思うがDRAMやNANDを置き換えることはない

【質問2】3D XPointで、半導体ユーザーにどのような機会とリスクが生まれましたか?
【回答】 IoT向けのメモリーとしての可能性があるのではないか

【質問3】3D XPointで、装置や材料のサプライヤーにどのような機会とリスクが生まれましたか?
【回答】新材料を安定して低コストで扱える製造装置の開発競争が起こる

【質問1の回答】ストレージ・クラス・メモリーとしては、最も有力と思うがDRAMやNANDを置き換えることはない


 3D XPoint は、NANDフラッシュメモリーよりも1000倍高速、DRAM並に高速でDRAMの10倍の大容量が可能であると言われており、2015年末にはサンプル出荷で16年には量産出荷する計画のようだ。容量も128Gビットから出荷される。となると、これまで新メモリーとして発表されているSTT-MRAM、PCRAM、ReRAMなどと比較すると完成度は高いと推測できる。

 さて3D XPonitメモリーは、DRAMやNANDを置き換えるほどのインパクトがあるのだろうか。筆者はまだ疑問を持っている。理由は2つある。コストがどこまで下がるのかという疑問と、信頼性の疑問があるからだ。DRAMを置き換えるのであればNANDほどはコストにシビアではないが、高速性がDRAMと同じであれば書き換え回数で劣ることになる。つまりキャッシュとして使うには不向きである。しかし、一方でコストがNANDほど下がらないのであればSSDとしての採用は限定的になるだろう。

 Intel社が狙うサーバーに使われるメモリー構成はCPUキャッシュとして使われるSRAM、メインメモリーとして使われるDRAM、そしてSSD(NANDフラッシュメモリー)、さらに低速なHDDとなる。現在、DRAMとSSDの間にはアクセス速度に大きな隔たりがあるため、PCMやReRAMなどの次世代不揮発メモリーはこのギャップを埋めるストレージ・クラス・メモリーとして注目されている。この分野に今回の3D XPonitメモリーは採用されるようなのでDRAMやNANDを全て置き換えてしまうようなメモリーではなさそうだ。