ISSCC 2017のメモリー分野では、不揮発メモリーで、64層プロセスを使った3次元（3D）NANDで512Gビットチップを2社が発表したり、初のギガビット級STT-MRAMが登場して大きな注目を集めた。SRAMは昨年の10nmから微細化が進み、7nm FinFET用いたチップがこれも2社から発表された。DRAMではGDDR5XやLPDDR4Xなど高速インターフェースに関する発表が参加者の関心を集めた。
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2022年5月26日（木）～27日（金）
2022年5月28日（土）
2022年5月31日 午後1時～午後3時50分
2022年5月31日 午後2時～午後3時50分
2022年6月2日（木）、6月3日（金）
2022年6月8日（水）～9日（木）
2022年6月9日（木） 午前10時30分～午後5時
2022年6月10日（金） 午後1時30分～午後3時55分
2022年6月13日（月） 午前10時～午後5時5分
2022年6月14日（火）
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