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IGZOなどに代表される酸化物半導体の分野で、型破りな材料が登場した。酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は一般に、光が当たるとオフリーク電流が発生し、特性が劣化してしまう。ところが、光が当たっても特性がほとんど劣化しない酸化物半導体のTFTが開発された。東京工業大学 応用セラミックス研究所 教授の細野秀雄氏の研究室と旭硝子のグループが、ディスプレーの学会「SID 2016」(2016年5月22~27日、米国サンフランシスコ)で発表した。

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