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パワー半導体の国際会議「ISPSD 2016」がチェコ・プラハで2016年6月12日(現地時間)に開幕した。同会議では、100V以下の低耐圧のパワー素子から1kV以上の高耐圧のパワー素子まで、幅広い研究成果が集う。ISPSDは毎年1回、通常5~6月に開催されており、今年は、「GaNやSiCに関する発表が特に多い。そのため多数のポスターセッションの発表を予定している」(ある運営委員)という。

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