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 富士電機と中国Hong Kong University of Science and Technologyの研究グループは、ダイオードのエッジターミネーションの領域を小さくする新技術について、「ISPSD 2016」で明らかにした。従来のガードリングを設けるエッジターミネーションに比べて、エッジターミネーションの長さを1/5以下にできるという。

 ダイオードの微細化が進み、デバイスとして動作するアクティブ領域が小さくなるにつれて、ダイオードチップに占めるエッジターミネーションの割合が大きくなっている。特に、出力電流が小さいダイオードでは、その比率がより大きくなる。白物家電などに利用される、耐圧600V、5Aのダイオードではエッジターミネーションの長さはおよそ350μmで、全チップ面積のうち、約55%%がエッジターミネーションになってしまうという。そこで、エッジターミネーションの削減に取り組んだ。

 今回、ダイオード表面に溝を掘り、その溝を「BCB(BenzoCycloButene:ベンゾシクロブテン)」などで埋めた構造を採る。0.55mm2(2A相当)のアクティブ領域に対して、この構造でエッジターミネーションを設けたところ、長さ35μmで755Vの耐圧を得た。これは、従来のガードリング方式のエッジターミネーションに比べて1/5以下だという。