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GDDR6、LPDDR4、DDR4がそろって16Gビットに

 Session 12:DRAMでは、インターフェース技術として18Gビット/秒/ピンのGDDR6が登場し(Samsungが講演番号 12.1で発表)、昨年の12Gビット/秒/ピンのGDDR5Xを大幅に超える性能の実現を報告している。ほかにも341Gバイト/sのバンド幅を実現したHBM2など、高速化技術がさらに進展した(韓国SK hynix社が講演番号 12.3で発表)。また、1チップあたりの容量として16Gビットを実現したという発表が3件あった(講演番号 12.1でSamsungが GDDR6を、同12.2でSamsungが LPDDR4を、同12.5でSK hynixが DDR4をそれぞれ発表)。

 微細化の視点では20nmを切ったチップが報告された(講演番号 12.2でSamsungが 10nmクラスを、同12.5でSK hynixが18nmをそれぞれ報告)。セッションの聴講者は250人を数えた。大容量と高速化の進展したDRAM技術には非常に大きな関心が寄せられ、どの発表もQ&Aの時間が足りなくて途中で打ち切りの状態だった。このQ&Aのなかで、Samsungの2件のチップ(講演番号 12.1のGDDR6および同12.2 のLPDDR4)には同じDRAMのテクノロジーが用いられており、「10nmクラス」は実は約18nm(around 18nm)であることを明らかにした。