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1Tビットを集積した3D NAND

 Session 20:Flash Memory Solutionsでは、Samsungが過去最大容量の1Tビットを集積した3D NANDチップ(V-NAND)を報告した(講演番号 20.3)。ワード線層数は64、チップ面積は181.9mm2で、1セルあたり4ビット(16レベル)を記憶する。

 東芝メモリと米SanDisk社連合は、容量こそ昨年と同じ512Gビットながら、ワード線層数96と1.5倍に増やしたチップを発表した(講演番号 20.1)。チップ面積は86.1mm2。ビット密度は5.95mm2/Gビットで、これまで学会発表された3D NANDの中で最も高い(昨年の同連合の発表の1.53倍)。

 前年の互い(Samsung vs 東芝メモリSanDisk連合)の発表に対してそれぞれが読み出し速度向上などの改良を加えた技術をアピールしており、しのぎを削るトップメーカー同士の切磋琢磨が感じられるセッションとなった。

 このセッションの聴衆は220人を数えた。上記のほかに、このセッションでは、SamsungがZ-NANDを用いた高速SSDも発表した(講演番号 20.2)。NAND単体のアクセス速度は3μs、SSDのアクセス時間は15μsである。NANDの高速化に合わせて、エラー訂正などの周辺処理も高速化するように最適設計が行われたという。