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パワーデバイスの高速化が進んでいる。現在主流のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は性能の向上が進み、すでに第8世代品が登場した。次世代のパワーデバイスと目されるSiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）の実用化も進んできた。例えば、SiCでは、以前から製品化されているダイオードだけでなく、トランジスタもようやく登場した。GaNについては懸案だったノーマリーオフ型のメドも付いてきた。

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