連載趣旨
日立製作所は、電力損失が非常に小さい新しいパワーモジュール「DuSH」を開発した。トランジスタにSi IGBTを、ダイオードにSiCショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を利用した、いわゆる「ハイブリッド型」のモジュールながら、SiC MOSFETと同MOSFETのボディーダイオードを利用した「フルSiC」モジュールに迫る低い電力損失を実現したことが最大の特徴である。
本稿では、デュアルサイドゲート構造のIGBTや同IGBTを搭載したDuSHモジュール、さらにDuSHモジュールに採用予定の新しい実装技術について、パワーデバイスの専門家・ベテラン研究者で、開発を主導した日立製作所 研究開発グループの森 睦宏氏に、3回にわたって解説してもらう。
森 睦宏(もり むつひろ)
日立製作所 研究開発グループ
日立製作所 研究開発グループ
